集邦科技 華邦電加速興建高雄12吋廠 資本預算131億
記憶體大廠華邦電董事會16日決議，通過高雄12吋晶圓廠資本支出 預算案，核准資本預算達131.27億元，將自3月起開始陸續進行投資 。華邦電高雄12吋廠將在明年上半年裝機及試產，明年下半年將進入 量產，初期將生產20奈米世代製程DRAM。
華邦電此次資本支出預算案，內容包括建置及擴充產能的生產設備 、實驗室設備、測試設備、廠務設施工程等，涵蓋時間包括今年及明 年。華邦電表示，該資本支出預算案主要用於高雄新廠，預計於今年 3月起陸續投資，並於明年試營運。華邦電高雄廠是第二座12吋晶圓 廠。
華邦電表示，相當重視研發創新及全球人才布局，預計未來在南科 高雄園區產業聚落效應的帶動下，能吸引更多半導體人才加入，一同 致力於提供客戶全方位的利基型記憶體解決方案。
華邦電於日前法人說明會中指出，今年資本支出預計127億元，較 去年成長約六成，而高雄新廠預計明年上半年試產，明年下半年量產 ，2023年將明顯貢獻營收。
華邦電台中廠目前產能主要以快閃記憶體為主，去年已將月產能由 5.4萬片提升至5.7萬片，投片維持滿載狀態。不過，華邦電今年台中 廠產能不會再擴充，但將因應客戶需求進行產能調配。
華邦電自行開發的25奈米DRAM製程，目前生產良率已達成熟製程水 準，25奈米營收占比已由去年第一季的8％，成長至去年第四季的20 ％，目前25奈米製程占DRAM整體投片量比重達五成。
華邦電總經理陳沛銘表示，25奈米微縮版DRAM製程前期開發，已完 成且進展順利，將先在台中廠試產，也會與客戶就產品驗證先展開合 作，以便未來高雄廠完成裝機，就能直接進入生產狀態。
集邦科技表示，華邦電近年重心皆在快閃記憶體業務，DRAM產能在 高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此華邦電選擇重點支持DDR2及D DR3低容量產品，也因華邦電在該領域擁有相對更高的市占率，掌握 更多定價優勢。
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